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Silizium-Germanium-Technologie

Die Silizium-Germanium (SiGe)-Technologie ist perfekt geeignet für die Anforderungen von Hoch- und Höchstfrequenzapplikationen mit gemischten analogen und digitalen Schaltungsteilen (mixed signal). Mit SiGe-Technologien lassen sich höchste Integrationsniveaus erreichen und SiGe-ICs können aufgrund der technologischen Kostenvorteile ökonomisch sinnvoll auch in mittleren und kleinen Stückzahlen gefertigt werden.

Die SiGe-Halbleitertechnologie bietet die besten Voraussetzungen für das Design der wichtigsten HF-Schaltungsblöcke wie LNA's, Mischer, Oszillatoren und insbesondere für komplette monolithisch aufgebaute Sender und Empfänger (Single-Chip-Frontends).

Nicht nur in Bezug auf die Kosten und Integrationsmöglichkeiten, auch bzgl. einiger technischer Parameter wie z.B. der Stromaufnahme oder dem Phasenrauschen sind die SiGe Hetero-Bipolartransistoren (HBTs) den III/V-HBTs in z.B. Gallium-Arsenid-Technologie (GaAs) überlegen. So sind SiGe-Schaltkreise eine treibende Kraft für die sich schnell entwickelnde Märkte der Fahrassistenzsysteme, Radaranwendungen, Satellitenkommunikation oder der mobilen Kommunikationsgeräte geworden.

Das IHP - Innovations for High Performance Microelectronics Institut mit seinen SiGe BiCMOS Prozessen ist der wichtigste Technologiepartner von Silicon Radar. Weiterführende Informationen zum Foundry service und dem aktuellen MPW-Terminplan finden Sie hier.

Die folgende Tabelle gibt einen Überblick zu den wichtigsten Parametern der verfügbaren SiGe-Technologien des IHP.

SG25H1 Hochperformante Technologie mit npn-HBTs zu Grenzfrequenzen von fT/fmax= 180/220 GHz.
SG25H2 Hochperformante Technologie mit npn-HBTs ähnlich der SG25H1 mit einer Erweiterung um pnp-HBTs mit Grenzfrequenzen von fT/fmax= 85/120 GHz
SG25H3 Technologie mit einer Auswahl von npn-HBTs, gekennzeichnet durch eine excellente HF Performanz (fT/fmax= 110 GHz/190 GHz) und einer hohen Durchbruchspannung von bis zu 7V.
SGB25VD Kostengünstige Technologie mit einer Auswahl von npn-HBTs (Durchbruchspannung bis zu 7V). Ein entscheidendes Merkmal sind die zusätzlich integrierten RF LDMOS Transistoren (Durchbruchspannung bis zu 26V)

Verfgbar ist eine in Entwicklung befindliche 0,13-&micr;m-SiGe-BiCMOS-Technologie als Ergänzung zur bewährten 0,25-µm-Technologie.

Silicon Radar hat sich auf die DesignKits der IHP-Technologien spezialisiert und unternimmt erhebliche Anstrengungen, um diese mit weiter zu entwickeln und den Designprozess zu optimieren.

Links zu weitergehenden Informationen:

IHP Technologie
Einführung in die Silizium-Germanium-Technologie (englisch)


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